Memoria de polímero

La memoria de semiconductores es un dispositivo semiconductor electrónico digital que se utiliza para el almacenamiento de datos digitales, como la memoria de una computadora, donde los datos se almacenan dentro de celdas de memoria de semiconductores de rust de metal (MOS) en un chip de memoria de circuito integrado de silicio. La memoria de polímero insinúa la nueva innovación de memoria que utiliza polímero conductor en lugar de una construcción basada en silicio para almacenar los datos. Los polímeros son materiales orgánicos altamente adaptables que se componen de largas strings de moléculas individuales. Los polímeros son material electrónico esencial que se puede procesar como líquido. Con la tecnología de memoria de película delgada, los polímeros se utilizan en varios procesos industriales estándar.

Un polímero conocido como PEDOT (polietilenodioxitiofeno) es un plástico inusual ya que conduce la electricidad a bajo voltaje, lo que hace que este polímero sea adecuado para el recubrimiento antiestático en varios procesos industriales. Más tarde, se descubrió que a un pulso alto de corriente, la cambia a un estado no conductor (actúa como un aislante). La memoria basada en PEDOT se utilizó para almacenar los datos computarizados como ceros y unos. Al apilar capas de memoria, un dispositivo de un centímetro cúbico podría contener tanto como un gigabyte y ser lo suficientemente modesto como para rivalizar con los CD y DVD.

Cómo funciona la memoria de polímero:
el principio fundamental detrás de la memoria basada en polímero es un momento dipolar que poseen las strings de polímero debido a que el polímero muestra diferencias en la conductividad eléctrica y cuando se aplica un campo eléctrico se establece un dipolo local de polímero. Momento bipolarse establece cuando se aplica un campo eléctrico a un sólido que contiene carga positiva y negativa, las cargas positivas se desplazan en la dirección del campo hacia el extremo negativo, mientras que las cargas negativas se desplazan en la dirección del extremo positivo del campo, por lo tanto, un El dipolo está configurado. La memoria de polímero almacena datos de una manera completamente diferente en comparación con los dispositivos de silicio. En lugar de codificar ceros y unos como la medida de la carga almacenada en una celda, los chips de Coatues almacenan datos basados ​​en la resistencia eléctrica de los polímeros. Coatue fabrica cada celda de memoria como un polímero intercalado entre los dos electrodos. Para accionar este marco de celda, se aplica voltaje en los electrodos superior e inferior. Uso de un campo eléctrico para reducir la resistencia del polímero, expandiendo así su capacidad para conducir corriente; el polímero mantiene su estado hasta que se aplica un campo de polaridad opuesta para elevar su resistencia a su nivel original. Los distintos estados de conductividad constituyen bits de datos.

Características de la memoria de polímero:

• Cero transistores para cada bit de almacenamiento.
• La memoria es no volátil.
• Lecturas iniciales en microsegundos. Velocidad de escritura más rápida que NAND y NOR Flash.
• Preparación básica, fácil de coordinar con diferentes CMOS .
• No es necesario actualizar ni controlar la copia de seguridad de la celda.
• La temperatura de funcionamiento oscila entre – 40 y 110 °C.

Ventajas de la memoria de polímero:

• La memoria plástica es rápida. En el laboratorio, los dispositivos ensamblados con una capacidad de almacenamiento de 1 GB han producido duraciones de proceso de lectura/escritura que son varias veces (10 veces) más rápidas que CompactFlash, que normalmente son 10 MB/s de lectura, 1-4 MB/s de composición, lo que proporciona una velocidad de lectura y escritura rápida. .
• Baja utilización de energía.
• Requiere muchos menos transistores, normalmente solo 0,5 M (millones) para 1 GB de capacidad de almacenamiento en contraste con los 1,5-6,5 B (mil millones) del silicio.
• Se puede apilar verticalmente en un elemento, lo que genera una utilización del espacio 3D; los chips de silicio deben colocarse uno al lado del otro.
• Fácil de fabricar: use impresoras de inyección de tinta para rociar circuitos de polímero fluido sobre una superficie
• El marco de película delgada requiere alrededor de 0,5 millones de transistores por cada gigabyte de memoria. El marco habitual basado en silicio requeriría entre 1,5 y 6,5 mil millones de transistores para ese gigabyte equivalente.

Limitaciones de la memoria de polímero:

• Convertir una memoria de polímero en una memoria comercial es una tarea tediosa, ya que las tecnologías de memoria compiten no solo en función de la capacidad de almacenamiento, sino también en el consumo de energía, la velocidad y la calidad inquebrantable, etc.
• Puede leer muchas veces, pero puede escribir solo una vez.
• Hasta que los nuevos materiales de memoria puedan competir con el alto rendimiento del silicio, sus notas, probablemente se verán limitadas a aplicaciones de nicho.