Celda de memoria de un bit (o elemento biestable básico) – Part 1

La celda de memoria de un bit también se denomina elemento biestable básico . Dispone de dos inversores de acoplamiento cruzado, 2 salidas Q y Q’. Se llama «Biestable» ya que el circuito de elemento biestable básico tiene dos estados estables lógico 0 y lógico 1.

El siguiente diagrama muestra el elemento Biestable Básico:

(A) when A=0,
(i) In inverter1, Q = A'= B= 1
(ii)In inverter2, Q' = B' = A = 0

(B) when A=1,
(i) In inverter1, Q = A'= B= 0
(ii)In inverter2, Q' = B' = A = 1 

Algunos puntos clave:

1. Las 2 salidas son siempre complementarias.
2. El circuito tiene 2 estados estables. cuando Q=1, es el estado Set . cuando Q = 0, es el estado de reinicio .
3. El circuito puede almacenar 1 bit de información digital, por lo que se denomina celda de memoria de un bit.
4. La información de un bit almacenada en el circuito está bloqueada o bloqueada en el circuito. Este circuito también se llama Latch .

La celda de memoria SRAM de un bit y seis transistores es volátil. La velocidad de conmutación rápida es su principal ventaja. Necesita un suministro de energía constante debido a su volatilidad. La demanda de dispositivos de memoria más rápidos y densos ha hecho que los memristores se propongan como reemplazos de la memoria flash, la memoria estática de acceso aleatorio (SRAM) y la memoria de acceso aleatorio (RAM). La característica más destacada de los memristores es su capacidad de conmutación resistiva que puede retener estados de resistencia durante largos períodos a pesar de no tener fuente de alimentación.

La celda de memoria no volátil de un bit se puede diseñar utilizando puertas de transmisión y memristor. Los dispositivos memristivos tienen alta velocidad de conmutación, bajo consumo de energía, no volátiles y tamaño de dispositivo pequeño. La no volatilidad del memristor utilizado en los diseños como elemento de almacenamiento de información proporciona una capacidad de retención de hasta 10 años en ausencia de suministro eléctrico. Las puertas de transmisión utilizadas aseguran que no se pierda voltaje a través de otros componentes de la celda de memoria, por lo que mejora la velocidad de conmutación al proporcionar una mayor diferencia de potencial a través del memristor.

Otras ventajas de usar memristores en dispositivos de memoria son su largo período de retención, sus excelentes propiedades de resistencia y su buena escalabilidad en comparación con los dispositivos de memoria flash basados ​​en NAND.

Referencia:
ELECTRÓNICA DIGITAL: Atul P. Godse, Sra. Deepali A. Godse
IEEE XPLORE, biblioteca digital: celda de memoria no volátil de un bit que utiliza puertas de transmisión y memristor.