Operaciones de lectura y escritura en la memoria

Una unidad de memoria almacena información binaria en grupos de bits llamados palabras. Las líneas de entrada de datos proporcionan la información que se almacenará en la memoria, las líneas de salida de datos llevan la información fuera de la memoria. Las líneas de control Leer y escribir especifican la dirección de transferencia de datos. Básicamente, en la organización de la memoria, hay ubicaciones de memoria que se indexan desde 0 hasta donde l son los buses de direcciones. Podemos describir la memoria en términos de bytes usando la siguiente fórmula:

Where,
l is the total address buses
N is the memory in bytes

Por ejemplo, parte del almacenamiento se puede describir a continuación en términos de bytes utilizando la fórmula anterior:

 1kB= 210 Bytes
 64 kB = 26 x 210 Bytes
       = 216 Bytes
 4 GB = 22 x 210(kB) x 210(MB) x 210 (GB)
      = 232 Bytes

El registro de direcciones de memoria (MAR) es el registro de direcciones que se utiliza para almacenar la dirección de la ubicación de memoria donde se realiza la operación.
El registro de datos de memoria (MDR) es el registro de datos que se utiliza para almacenar los datos en los que se realiza la operación.

1. Operación de lectura de memoria:
   La operación de lectura de memoria transfiere la palabra deseada a las líneas de dirección y activa la línea de control de lectura. A continuación se proporciona una descripción de la operación de lectura de memoria:

   

   Inicialmente, en el diagrama anterior, MDR puede contener cualquier valor basura y MAR contiene la dirección de memoria 2003. Después de la ejecución de la instrucción de lectura, se leerán los datos de la ubicación de memoria 2003 y el MDR se actualizará con el valor de la ubicación de memoria 2003 (3D).

2. Operación de escritura en memoria:
   La operación de escritura en memoria transfiere la dirección de la palabra deseada a las líneas de dirección, transfiere los bits de datos que se almacenarán en la memoria a las líneas de entrada de datos. Luego activa la línea de control de escritura. La descripción de la operación de escritura se proporciona a continuación:

   

   En el diagrama anterior, MAR contiene 2003 y MDR contiene 3D. Después de la ejecución de la instrucción de escritura, 3D se escribirá en la ubicación de memoria 2003.